74AUP1G132提供单路2输入与非施密特触发器功能，可接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• BUK9Y58-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BC807W - 45 V，500 mA PNP通用晶体管
• 74LVT2244DB - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻（3态）
• 74LVC1G80GW - 单D型触发器；正沿触发器
• BZX84-C39 - 稳压器二极管
• BZX84-C3V3 - 稳压器二极管
• TDZ9V1J - 单倍齐纳二极管
• BAP51-02 - 通用PIN二极管
• 2N7002BKMB - 60 V，单N沟道Trench MOSFET
• HEF4794BT - 8级移位和存储寄存器LED驱动器