74AUP2G241提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入1OE和2OE控制。针脚1OE处的高电平使输出1Y呈高阻抗关断状态。针脚2OE处的低电平使输出2Y呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入OE为高电平时，输入1A处于禁用状态。输出使能输入2OE为高电平时，输入2A处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74AHCT123AD - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• 74AUP1T58GS - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• PSMN2R7-30PL - N沟道30 V 2.7 m?逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装
• BAS321 - 通用二极管
• PMV50XP - 20 V, P-channel Trench MOSFET
• 74HC259DB - 8位可寻址锁存器
• BZB84-C2V7 - 双倍齐纳二极管
• BUK9Y58-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BC847AW - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• NX3DV221TK - 带使能端的高速USB2.0开关