标准电平N沟道MOSFET，采用LFPAK封装，额定工作温度为175 °C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。

• 高级TrenchMOS提供低RDSon和低栅极电荷
• 开关电源转换器中的高效率增益
• 更强的机械特性和热特性
• LFPAK在Power SO8封装中提供最大的功率密度

• DC-DC转换器
• 锂电池保护
• 负载开关
• 马达控制
• 服务器电源

• PDTA123JM - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZA856AVL - 四倍低电容ESD抑制器
• DFN1010D_3_SERIES - 集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。
• PBSS4021SN - 20 V，7.5 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• BUK7Y19-100E - N沟道100 V，19 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74AHC30PW - 8输入与非门
• MF0MOU2101DA8 - MIFARE Ultralight C - Contactless ticket IC
• BCV29 - NPN达林顿晶体管
• 74HC(T)2G08 - 双路2输入与门
• PMEG3010AESA - 30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier