74AUP2G02提供双路2输入或非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK9Y72-80E - N沟道80 V，78 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BZV55-B3V0 - 稳压器二极管
• SL2S1412FUD - ICODE ILT-M
• NZX6V2C - 单倍齐纳二极管
• PESD5Z3.3 - 低电容单向ESD保护二极管
• 74AVC4TD245 - 4位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• 74HCT4040D - 12级二进制纹波计数器
• PESDXV4UK_SER - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• 74LVC2G14GM - 双路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• BUK6246-75C - N沟道TrenchMOS中间电平FET