
BLF8G22LS-200V技术文档下载:
BLF8G22LS-200V产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPC860SRCVR66D4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZM3.3NB2,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- TEF6606T/V5,512 - 射频和无线 > 射频接收器
- DC9S08JM16 - 开发板,套件,编程器 > 开发板,编程器配件
- S9KEAZN8AVFKR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC10XSD200BFKR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- MC33FS6512LAER2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- PCK12429A,118 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
- MC33774ATP1AE - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池管理
- MC56F84565VLK - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BUK761R5-40EJ - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PHPT60610PYX - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- SPC5602SF2VLQ6R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCF1252-0T/F4,112 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 监控器
- NX3L1G3157GM,132 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- 74LVC2952ADB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- PDZ6.2B,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC9S08JE128CMB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74AHC241BQ,115 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器



BLF8G22LS-200V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G22LS-200V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G22LS-200V是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G22LS-200V的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G22LS-200V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G22LS-200V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
- 鸥翼型优化设计
产品应用
- 基站RF功率放大器
- 2110 MHz 至2170 MHz频率范围内的多载波应用
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