
PSMN6R0-30YLB技术文档下载:
PSMN6R0-30YLB产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74HCT86PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- BZX84-C75/LF1VL - 二极管 - 齐纳 - 单
- S32E288ABCAAMJGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8536ECVTAKGA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- ASC8850ET,557 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- LS1012AXE7EKA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPC8265AVVMHBC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S912ZVCA64AMLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MK60DN512VLL10R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MR-T1ETH8 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
- BUK101-50GS,127 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- MKE04Z8VWJ4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMXRT1021DAF5A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MF1FCP2S50/DH,118 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- MRF8S7170NR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MMA7361LR2 - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- SPC5744BBK1AMMH2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN6R0-30YLB - N沟道30 V 6.5 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术
PSMN6R0-30YLB是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN6R0-30YLB是N沟道30 V 6.5 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,本站介绍了PSMN6R0-30YLB的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN6R0-30YLB相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN6R0-30YLB - N沟道30 V 6.5 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高可靠性Power SO8封装,额定温度为175°C
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS,高/低负载时可实现系统高效率
产品应用
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 同步降压调节器
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