74HC299；74HCT299是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74F299包含八个边沿触发D型触发器和执行同步右移、左移、并行负载和保持操作所必需的级间逻辑。操作由模式选择输入S0和S1确定。

针脚I/O0至I/O7是触发器3态缓冲器输出，这允许它们在并行负载模式中用作数据输入。串行输出Q0和Q7用于在较长字的串行位移中实现扩展。

MR异步主复位输入上的低电平信号覆盖Sn和时钟CP输入并复位触发器。所有其他状态变化由时钟脉冲的上升沿启动。只要遵照建议的设置和保持时间，时钟处于任意状态时输入都可能发生变化。

3态输出使能输入OE1或OE2上的高电平信号会禁用3态缓冲器且I/On输会被置于高阻抗关断状态。在这种情况下，准备并行负载操作时移位、保持、负载和复位操作仍会发生。3态缓冲器还可由S0和S1上的高电平信号禁用。

• 多路复用输入/输出提供更高的位密度
• 四种工作模式：
  • 左移
  • 右移
  • 保持（存储）
  • 加载数据
• 工作时采用输出使能或处于高阻抗关断状态(Z)
• 3态输出直接驱动总线线路
• 可级联n位字长
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• SL2S5002; SL2S5102 - ICODE SLIX-L
• SC16C850IBS - 2.5 V至3.3 V的UART，5 Mbit/s（最快），带有128字节FIFO、红外(IrDA)以及16模式或68模式并行总线接口
• 74HC259PW - 8位可寻址锁存器
• PSMN016-100YS - N沟道100 V 16.3 m?标准电平MOSFET，采用LFPAK封装
• 1PS70SB82 - 肖特基势垒（双）二极管
• PTVS8V0S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• 74HC541PW - 八频缓冲器/线路驱动器（三态）
• 74AUP2G34 - 低功耗双路缓冲器
• MIFARE DESFire EV1 8K - MIFARE DESFire EV1非接触式多用途芯片
• 74LVC2T45GF - 双电源转换收发器；3态