74AUP1G3208提供布尔函数：Y = (A + B) x C。用户可以选择逻辑功能OR、AND和OR-AND。所有输入都可连接到VCC或GND。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVC2G125DP - 双路总线缓冲器/线路驱动器；3态
• NWP2081T - 半桥驱动器IC
• PEMD15; PUMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• PMEG3030BEP - 3 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• CBT3253PW - Dual 1-of-4 FET multiplexer/demultiplexer
• BZX84-B30 - 稳压器二极管
• 74HCT3G34DP - 三路缓冲器门
• PSMN015-100B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74AHCT1G04GV - 反相器
• BUK764R0-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET