
PSMN1R0-30YLC技术文档下载:
PSMN1R0-30YLC产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- LS1043AXE8MQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MC145572APB - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MC145017P - 集成电路(IC) > 接口 > 传感器和检测器接口
- MCF54455VP266 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74ALVCHS16830DGB;1 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74AUP1G98GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器 - 多功能,可配置
- P89LPC9301FDH,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PTN36502AHQX - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- MCF51JM32VLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC68360VR25VL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



PSMN1R0-30YLC - N沟道30 V 1.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术
PSMN1R0-30YLC是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN1R0-30YLC是N沟道30 V 1.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,本站介绍了PSMN1R0-30YLC的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN1R0-30YLC相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R0-30YLC - N沟道30 V 1.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高可靠性Power SO8封装,额定温度为175°C
- 采用NextPower超结技术,最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS,高/低负载时可实现系统高效率
- 超低Rdson和低寄生电感
产品应用
- DC-DC转换器
- 锂电池保护
- 负载开关
- 电源OR-ing
- 服务器电源
- 同步整流器
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