
PSMN102-200Y技术文档下载:
PSMN102-200Y产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74AHC244PW,118 - 未分类 > 未分类
- MW5IC2030GNBR1 - 射频和无线 > 射频放大器
- LPC1111FHN33/103 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PMEM4030NS,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- 74HCT4052DB,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- S912ZVCA19AMKH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC2220FET144/G,51 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PESD3V3L5UV,115 - 未分类 > 未分类
- SPC5607BAVLQ6R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BC639,112 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- PCA9641PWJ - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- 74HCT366PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MCHC908JW32FC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDA8571J/N2,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- BZX84-C62,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MKE12Z512VLL9R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- OM2NTA5KIT - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- 74ABT827PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- IP4359CX4/LF,135 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管



PSMN102-200Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
PSMN102-200Y是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN102-200Y是N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET,本站介绍了PSMN102-200Y的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN102-200Y相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN102-200Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特性和优势
- 低热阻抗,因而工作功率更高
- 快速开关特性,因而适用于高频应用
产品应用
- D类放大器
- DC-DC转换器
- 运动控制
- 开关电源
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