
PSMN102-200Y技术文档下载:
PSMN102-200Y产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- KMA210:115 - 传感器,变送器 > 位置传感器 > 位置传感器 - 角度、线性位置测量
- MCF5275LCVM166J - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08QE16CLD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PMD9002D,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 特殊用途
- N74F157AN,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- MPC9893AE - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
- MC68HC11E0CFNE3R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- FS32K146HFT0MMHR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- UJA1136HW/5V0Y - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- PEMI2STD/HG,115 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- S9S08AW32E7CFDE - 嵌入式 - 微控制器
- MPXH6400AC6U - 压力传感器、变送器
- TFF11139HN/N1X - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 应用特定时钟/定时



PSMN102-200Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
PSMN102-200Y是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN102-200Y是N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET,本站介绍了PSMN102-200Y的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN102-200Y相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN102-200Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特性和优势
- 低热阻抗,因而工作功率更高
- 快速开关特性,因而适用于高频应用
产品应用
- D类放大器
- DC-DC转换器
- 运动控制
- 开关电源
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