74AUP1G158是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以补充（反相）形式呈现所选数据。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX79-B30 - 稳压器二极管
• P5CC073 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PDTA115TT - PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路
• 74LVCH2T45GM - 双电源转换收发器；3态
• 74HC173DB - 四频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BZX84J-C3V0 - 单倍齐纳二极管
• PESD5V0U2BT - 超低电容双向双ESD保护二极管
• 74HC40105DB - 4位 x 16字FIFO寄存器
• PSMN4R3-80PS - N沟道80 V，4.3 m?标准电平MOSFET，采用TO220封装
• PSMN6R1-30YLD - N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology