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PHKD3NQ10T产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MMBZ27VAL,235 - 未分类 > 未分类
- PESD24VS2UQ,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- MKL17Z128VLH4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- P1022NSE2LFB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- FS32K148HFT0VLQT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PMV65XPEA215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- SC16C2550IN40,112 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- NX5DV330PW,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关 - 特殊用途
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- S9KEAZN8AVFKR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BZV90-C9V1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- TDA8270AHN/C1,557 - 射频和无线 > 射频接收器



PHKD3NQ10T - 双N沟道TrenchMOS标准电平FET
PHKD3NQ10T是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PHKD3NQ10T是双N沟道TrenchMOS标准电平FET,本站介绍了PHKD3NQ10T的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PHKD3NQ10T相关的NXP元器件型号供参考。
PHKD3NQ10T - 双N沟道TrenchMOS标准电平FET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特性和优势
- 低导通电阻,因而导通损耗很小
- 快速开关特性,因而适用于高频应用
- 超薄结构,因而适用于紧凑型设计
产品应用
- DC-DC转换器
- 马达和继电器驱动器
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