
PSMN040-100MSE技术文档下载:
PSMN040-100MSE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- BUK95180-100A,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PMEG4020EP,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- S9S08DZ60F1VLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- FS32V234CON2VUBR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MCIMX28EVK - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- LPC2131FBD64,151 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S912XD64F2VAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33PF8150J0TSR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MC9S08MM32VLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMXRT1176AVM8A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- ASL5115SHV/0Y - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
- PZU5.1B2,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- S9S08QD2J1CSCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC244PW/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC33886VWR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电机驱动器,控制器
- HEF4094BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- TDA8950J/N1,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- HEF4075BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MRF8S21140HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- PHB143NQ04T,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



PSMN040-100MSE - N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK33封装,专为高功率PoE应用而设计
PSMN040-100MSE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN040-100MSE是N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK33封装,专为高功率PoE应用而设计,本站介绍了PSMN040-100MSE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN040-100MSE相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN040-100MSE - N沟道100 V 36.6 mΩ标准电平MOSFET,采用LFPAK33封装,专为高功率PoE应用而设计 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
全新标准和专有方法正在实现以太网供电(PoE)系统,该系统能向用电设备(PD)提供高达90W的功率。就“软启动”、热管理和功率密度要求而言,该类解决方案对供电设备(PSE)提出了更高的要求。
产品特性和优势
- 增强型正向偏压安全工作区,可实现卓越的线性模式运行
- 低Rdson,可实现低导通损耗
- 超可靠的LFPAK33封装,可实现卓越的热性能和耐用性
- 极低IDSS
产品应用
- 高功率PoE应用(60W及以上)
- IEEE802.3at和专有解决方案
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