74LVC1G80提供单正沿触发D型触发器。

有关数据输入的信息会在时钟脉冲从低电平跃迁到高电平时传送到Q输出。D输入在时钟从低电平跃迁到高电平以便进行可预测操作之前必须稳定。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的部分断电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闩锁性能超过250 mA
• 带TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PESD5V0U1BLD - 超低电容双向ESD保护二极管
• PCA9555D - 带有中断的16位I2C总线和SMBus I/O端口
• 74LV00DB - 四路2输入与非门
• BUK7Y4R4-40E - N沟道40 V，4.4 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74LVC16374ADGG - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
• PSMN2R4-30MLD - N沟道30 V，2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
• PMPB10XNE - 20 V，单N沟道Trench MOSFET
• PEMH1 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• PTVS58VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PZU15BA - 单倍齐纳二极管