
PMZ350UPE技术文档下载:
PMZ350UPE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S912ZVCA19F0MKH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT299D,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
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- 74LVC2245AD,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
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- MC33PF8100EATSR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- PTVS13VP1UP/WD115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- PCK12429A,112 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
- S9S08RN16W2MTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SFS2633HMDFDADR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
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- SPC5645BCF0VLU1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MFS2632AMDA0AD - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MF1SPLUS8001DA4/02 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC



PMZ350UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET
PMZ350UPE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PMZ350UPE是20 V,P沟道Trench MOSFET,本站介绍了PMZ350UPE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMZ350UPE相关的NXP元器件型号供参考。
PMZ350UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
P沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用无铅超小型DFN1006-3 (SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用Trench MOSFET技术。
产品特性和优势
- Trench MOSFET技术
- 低阈值电压
- 超快速开关
- 静电放电(ESD)保护> 1.8 kV HBM
- 无铅超小型SMD塑料封装:1.0 × 0.6 × 0.48 mm
产品应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
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