74AUP1GU04提供单路非缓冲反相门。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF8G20LS-400PV - 功率LDMOS晶体管
• BUK7Y9R9-80E - N-channel 80 V, 9.9 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• BC69PAS series - 20 V, 2 A PNP medium power transistors
• BSR41 - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• 74LVC1G80GV - 单D型触发器；正沿触发器
• PZU11DB2 - 双倍齐纳二极管
• PCA9539A - 带有中断和复位的低电压16位I2C总线I/O端口
• 74LVCU04ADB - 六位元反相器
• 74HC3G16GD - 三路缓冲器门
• 74AUP2G00GM - 低功耗双路2输入与非门