74AUP1GU04提供单路非缓冲反相门。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX84-B75 - 稳压器二极管
• 74AUP1G125 - 低功耗缓冲器/线路驱动器；3态
• 74HC10D - 三路3输入与非门
• PZU13B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BZV49-C12 - 稳压器二极管
• BUK7Y53-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AUP1G14GW - 低功耗施密特触发反相器
• BZX384-B27 - 稳压器二极管
• BZV55-C47 - 稳压器二极管
• PESD12VS2UT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管