74AUP1GU04提供单路非缓冲反相门。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PESD5V0F1BRLD - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
• PHDMI2F4 - 用于超高速接口的ESD保护
• BUK7Y18-75B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PUMD30 - NPN/PNP配电阻双晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• BAS70-05 - 通用肖特基二极管
• PSMN041-80YL - N沟道80 V 41 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PBSS306PZ - 100 V，4.1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PESD5V0S5UD - 五倍ESD保护二极管阵列
• 74AUP3G34DC - 低功耗三路缓冲器
• 74HC1G08GV - 2输入与门