
BUK661R8-30C技术文档下载:
BUK661R8-30C产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- LD6805K/31PX - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- PTVS3V3S1UR,115 - 未分类 > 未分类
- SE052F2HN2/Z019HJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- BZX84-B22,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 74LVC1G57GS,132 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器 - 多功能,可配置
- MC13892CJVL - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型
- 74LV165N,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- TEA1998TS/1H - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器
- MIMXRT1187CVM8C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PN5120A0HN1/C2,118 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- 74LVC2G34GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
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- TJF1052IT/1Y - 隔离器 > 数字隔离器
- MC68882RC25A - 集成电路(IC) > 专用 IC



BUK661R8-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
BUK661R8-30C是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK661R8-30C是N沟道TrenchMOS中间电平FET,本站介绍了BUK661R8-30C的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK661R8-30C相关的NXP元器件型号供参考。
BUK661R8-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
中间电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用先进的TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合AEC Q101标准
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
- 12 V汽车系统
- 电动和电动液压助力转向
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起止应用
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- 超高性能电源开关
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