
PMDXB1200UPE技术文档下载:
PMDXB1200UPE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PDTC124EE,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
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- MK51DX256CLK7 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF7S19210HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MC9S08PA16AVWJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S08RN48W1MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33FS6507KAE - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
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- DSP56321VF220 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
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- MCIMX31CVKN5DR2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BUK763R1-40B,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- UJA1078ATW/3V3/WD - 4.5V ~ 28V
- BLT80,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管



PMDXB1200UPE - 30 V, dual P-channel Trench MOSFET
PMDXB1200UPE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PMDXB1200UPE是30 V, dual P-channel Trench MOSFET,本站介绍了PMDXB1200UPE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMDXB1200UPE相关的NXP元器件型号供参考。
PMDXB1200UPE - 30 V, dual P-channel Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
产品特性和优势
- Low threshold voltage
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
产品应用
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
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