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PESD3V3L2BT产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPX2100DP - 压力传感器、变送器
- S912XDP512J1MAL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- PZM12NB2,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
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- S912XEG128W1MALR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- DSPB56725AF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
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- MC9S12D64VPVE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMX8SL1AVNFZAB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PDTC143EK,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管



PESD3V3L2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
PESD3V3L2BT是NXP恩智浦公司的一款低电容ESD保护设备产品,PESD3V3L2BT是采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管,本站介绍了PESD3V3L2BT的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD3V3L2BT相关的NXP元器件型号供参考。
PESD3V3L2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管 - 低电容ESD保护设备 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
低电容双向双静电放电(ESD)保护二极管采用小型SOT23表面贴装设备(SMD)塑料封装,设计用于保护两条信号线免受ESD或其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 两条线路的ESD保护
- 超低漏电流:IRM< 90 nA
- 最大峰值脉冲功率:PPP = 350 W
- 高达23 kV的ESD保护
- 低钳位电压:VCL = 26 V
- IEC 61000-4-2,第四级(ESD)
- 小型SMD塑料封装
- IEC 61000-4-5(浪涌);IPP = 15 A
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
- 用户身份识别模块(SIM)卡保护
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