74LVC2G34提供两个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• PSMN015-110P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PMBT2222 - NPN开关晶体管
• PBLS6002D - 60 V PNP BISS负载开关
• BZT52H-C68 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PSMN2R2-25YLC - N沟道25 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BZV90-C15 - 稳压器二极管
• 74LVCH16374ABX - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
• 74AHC157D - 四路2输入多路复用器
• NX3008CBKV - 30 / 30 V，400 / 220 mA N/P沟道Trench MOSFET
• 74AUP3G34GD - 低功耗三路缓冲器