74LVC1G18是带3态输出的2选1非反相解复用器。该器件缓冲输入针脚A上的数据并将其传输到输出1Y或2Y，具体取决于选择输入(针脚S)的状态是低电平还是高电平。输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• SOT363和SOT457封装
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS22VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• 74LVC16240A - 16位缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；反相；3态
• TFF11101HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• TDA8007BHL - 多协议IC卡接口
• PBSS304PX - 60 V、4.2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管
• 74HCT2G08DP - 双路2输入与门
• NTB0102DP - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• BUK964R8-60E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMST5088 - NPN通用晶体管
• IP4294CZ10-TBR - 用于超高速接口的ESD保护