74LVC1G18是带3态输出的2选1非反相解复用器。该器件缓冲输入针脚A上的数据并将其传输到输出1Y或2Y，具体取决于选择输入(针脚S)的状态是低电平还是高电平。输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• SOT363和SOT457封装
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• MMBZ10VAL - 低电容单向双ESD保护二极管
• PMEG4010ETR - 高温40 V、1 A肖特基势垒整流二极管
• BZX84-A3V0 - 稳压器二极管
• BZB784-C12 - 双倍稳压器二极管
• BAV21 - 通用二极管
• BUK9Y21-40E - N沟道40 V，21 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BZT52H-C27 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74AXP1G09GX - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• 74ALVCH16823 - 带复位和使能功能的18位总线接口D型触发器（三态）
• BFU710F - NPN宽频带硅锗RF晶体管