74AUP1GU04提供单路非缓冲反相门。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G175GM - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• BZX84-B2V4 - 稳压器二极管
• PTVS18VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• 74HCT4066PW - 四路单刀单掷模拟开关
• 74LVC(H)2T45 - 双电源转换收发器；3态
• BLF8G22LS-160BV - 功率LDMOS晶体管
• NZH18C - 单倍齐纳二极管
• PESD5V2S2UT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管
• PMEG6002TV - 0.2 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BUK9608-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET