极低电容单向四倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用超小型无引脚SOT891表面贴装设备(SMD)塑料封装，保护最多4条单向信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。

• 最多4条线路的ESD保护
• 极低二极管电容
• 最大峰值脉冲功率：PPP = 28W
• 低钳位电压：VCL = 9.5V
• 符合AEC-Q101标准
• 极低漏电流：IRM = 0.1 μA
• 高达15 kV的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 2.7A

• 计算机和外设
• 音频和视频设备
• 手机和附件
• 通信系统
• 便携式电子设备
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护

• 74AVC16834ADGG - 18位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• 2PB709ART - 45 V，100 mA PNP通用晶体管
• 74LVC3G14GS - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• 74LVC1G27 - 单路3输入或非门
• NT2H1311G0DUF - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成144字节用户存储器
• BAS716 - 低漏电流二极管
• P5CC073XS - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74AXP1G07GX - Low-power buffer with open-drain output
• 74HC2G14GV - 双路反相施密特触发器
• BZA800A-series - 四倍ESD瞬态电压抑制器