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NT2H1311G0DUF - NFC Forum类型2标签兼容型IC,集成144字节用户存储器
NT2H1311G0DUF是NXP恩智浦公司的一款智能标签与标牌IC产品,NT2H1311G0DUF是NFC Forum类型2标签兼容型IC,集成144字节用户存储器,本站介绍了NT2H1311G0DUF的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与NT2H1311G0DUF相关的NXP元器件型号供参考。
NT2H1311G0DUF - NFC Forum类型2标签兼容型IC,集成144字节用户存储器 - 智能标签与标牌IC - 智能识别 - 恩智浦
NTAG213、NTAG215和NTAG216由恩智浦半导体公司开发,并作为标准NFC标签IC与NFC设备或NFC兼容型近距离耦合设备配合,广泛用于市场应用,如零售、游戏和消费电子等。NTAG213、NTAG215和NTAG216(后文通称为NTAG21x)设计为完全符合NFC Forum类型2标签和ISO/IEC14443类型A规范。
目标应用包括户外和印刷媒体智能广告、SoLoMo应用、产品验证、NFC货架标签、手机配套标签。
目标用例包括户外智能广告、产品认证、手机配套标签、蓝牙或Wi-Fi配对、电子货架标签和名片。还可对NTAG21x存储器进行分段,以同时部署多个应用。
由于NTAG21x标签IC具有高输入电容,因此该产品尤为适用于要求具有小尺寸的应用,而不会降低性能。小型NFC标签可更轻松地嵌入产品标签或电子设备等目标中。
NTAG21x的机械和电气特性可满足嵌体和标签制造商的要求。
非接触式能源和数据传输仅当IC连接天线时,才能建立NTAG21x通信。
NTAG21x位于RF范围内时,高速RF通信接口允许数据的传输波特率为106 kb/ s。
部署简单,为用户提供便利
NTAG21x提供特殊功能,针对改善集成度和用户便利性而设计。
快速读取能力允许仅采用一个FAST_READ命令扫描完整的NDEF消息,从而在高吞吐量的量产环境下降低开销。 改进的RF性能允许更为灵活地选择形状、尺寸和材料。 选用75 μm厚度的IC可生产超薄标签,实现更轻松的集成,如杂志或游戏卡。 安全 每器件具有制造商编程的7字节UID 具有一次可编程位的预编程功能性容器 具有现场可编程只读锁定功能 基于ECC的原创签名 32位密码保护功能可防止未授权的存储器操作 符合NFC Forum Tag类型2NTAG21x IC完全符合NFC Forum Tag类型2技术规范,提供NDEF数据结构配置。
防干扰智能防干扰功能允许同时有多个标签在现场工作。防干扰算法分别选择每一个标签,并确保选定的标签正确执行交易,不会因为现场存在另一个标签而受到干扰。
- 非接触式数据传输和电源
- 工作频率:13.56 MHz
- 数据传输:106 kb/s
- 数据完整性:16位CRC、奇偶校验、位编码、位计数
- 工作距离:最远100 mm(取决于不同参数,如场强和天线几何尺寸)
- 7字节序列号(ISO/IEC 14443-3 cascade level 2)
- 用于自动序列化NDEF消息的UID ASCII镜像
- 读取命令触发自动NFC计数器
- NFC计数器的ASCII镜像可自动将NFC计数器值与NDEF消息相加
- 基于ECC的原创签名
- 快速读取命令
- 真正防干扰
- 50 pF输入电容
EEPROM
- 180字节、540字节或924字节,以45页、135页或231页、每页4字节进行组织
- 144字节、504字节或888字节用户可自由读/写区(36页、126页或222页)
- 4字节已初始化功能性容器,具有一次可编程访问位
- 前16页具有每页现场可编程只读锁定功能
- 前16页之后具有每两页(NTAG213)或每16页(NTAG215和NTAG216)现场可编程只读锁定功能
- 可配置密码保护具有可选失败尝试限值功能
- 防修改支持功能性容器(CC)和锁定位
- 原创性检验支持ECC
- 数据保存期为10年
- 写入操作耐受程度为100,000个周期
- 智能广告
- 产品与设备认证
- 调用请求
- SMS
- 行动号召
- 折扣券和优惠券
- 蓝牙或Wi-Fi配对
- 连接切换
- 产品认证
- 手机配套标签
- 电子产品自标签
- 名片
- BZA956A - 四倍ESD瞬态电压抑制器
- PESD5Z2.5 - 低电容单向ESD保护二极管
- BZX384-C3V0 - 稳压器二极管
- BUK7Y59-60E - N-channel 60 V, 59 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
- 74HCT164D - 8位串行输入并行输出移位寄存器
- PEMH7; PUMH7 - NPN/NPN配电阻晶体管;R1 = 4.7 kOhm,R2 = 开路
- PESD5V0S1UA; PESD12VS1UA - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
- XC7SHU04 - 反相器
- BUK9506-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- 74VHCT244BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器;3态



