74LVC1G27提供3输入“或非”函数。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。该特性允许在3.3 V和5 V混合电压应用中将这些器件用作转换器。

所有输入的施密特触发器动作使电路高度容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉时电流回流对器件造成的损坏。

• 宽电源电压范围（1.65 V至5.5 V）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-C超过1000 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平接合
• 输入接受高达5 V的电压
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PCA9538D - 带有中断和复位的8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• 74AUP2G08GD - 低功耗双路2输入与门
• TFF11115HN - 低相位噪声本振发生器
• PESD5V0U1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• 74LVTH244ADB - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PMEG10030ELP - 100 V, 3 A low leakage current Schottky barrier rectifier
• BZT52H-C43 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BUK7K5R6-30E - 双N沟道30 V，5.6 m?标准电平MOSFET
• PZU9.1B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AUP2G04GN - 低功耗双路反相器