低电容双向双静电放电(ESD)保护二极管采用小型SOT23表面贴装设备(SMD)塑料封装，设计用于保护两条信号线免受ESD或其他瞬态电压导致的损坏。

• 两条线路的ESD保护
• 超低漏电流：IRM< 90 nA
• 最大峰值脉冲功率：PPP = 350 W
• 高达23 kV的ESD保护
• 低钳位电压：VCL = 26 V
• IEC 61000-4-2，第四级(ESD)
• 小型SMD塑料封装
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 15 A
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 通信系统
• 音频和视频设备
• 便携式电子设备
• 手机和附件
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护

• PCF2119DU - LCD控制器/驱动器
• 74AUP1G00GS - 低功耗2输入与非门
• BZT52H-B8V2 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BGU7051 - SiGe:C低噪声高线性度放大器
• 74AUP1G386 - 低功耗3输入异或门
• 74LVC541A - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• BZX79-B15 - 稳压器二极管
• 74HC(T)595 - 8位串行输入、串行或并行输出移位寄存器，带输出锁存器 ；3态
• PSMN165-200K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PSMN9R5-100PS - N沟道100 V 9.6 m?标准电平MOSFET，采用T0220封装