PDI1284P11并行接口芯片设计用于为个人计算机提供一个异步8位双向并行接口。PDI1284P11包括由IEEE 1284接口规范针对字节、半字节、EPP和ECP模式所定义的全部19条信号线路。 PDI1284P11设计用于工作电压为3.3V、连接3.3 V或5.0 V器件的主机或外设。

八个收发器对（A/B 1至8）允许总线A到总线B或总线B到总线A的数据传输，具体取决于方向引脚DIR的状态。

总线B和Y9至Y13线路具有推拉输出电路或电阻上拉输出，具体取决于高电平驱动使能引脚HD的状态。总线A仅有推拉输出电路类型输出。在VCC= 3.3 V且输入迟滞不少于400 mV时，所有输入兼容TTL。

• 异步操作
• 8位收发器
• 六个新增电缆缓冲器/驱动器线路外设
• 五条额外的电缆控制线路
• 5 V容压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 根据JEDEC Std 19，锁存保护超过500mA
• 输入迟滞
• 低噪声操作
• 符合IEEE 1284标准的第1级和第2级
• 用于关断状态的B/Y侧过压保护
• A侧三态选项
• B侧有源或阻性上拉选项
• 用于5 V或3 V操作的电缆侧电源电压

• PSMN017-80BS - N沟道80 V 17 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• NX3008CBKS - 30 / 30 V，350 / 200 mA N/P沟道Trench MOSFET
• NCX2220 - 低压比较器
• 74LVC(H)8T245 - 8位双电源转换收发器；3态
• 74AUP1G02GX - 低功耗2输入或非门
• CBT16210 - 20位总线开关，具有10位输出使能
• HEF4014B - 8位静态移位寄存器
• BUK762R6-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BUK6207-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• BLF647PS - 宽带功率LDMOS晶体管