74CBTLV16211提供具有单独输出使能输入（1OE、2OE）的双12位高速总线开关。开关的低通态电阻允许以最小传播延迟进行连接。输出使能(nOE)输入为高电平时，开关禁用（高阻抗关断状态）。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，1OE和2OE应该通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最低值由驱动器的电流吸收能力确定。

施密特触发器在控制输入处工作，这使得电路在从2.3 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较慢输入上升和下降时间。

该器件完全适用于部分使用IOFF的断电应用。IOFF电路禁用输出，从而防止断电时经过该设备的破坏性回流电流。

• 电源电压范围从2.3 V至3.6 V
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• 低功耗CMOS
• 闭锁性能超过JESD78B I类A级规定的250 mA
• IOFF电路提供部分断电模式操作
• TSSOP56封装： SOT364-1和SOT481-2
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHCT2G241DC - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• BLF7G21LS-160P - LDMOS功率晶体管
• 74LVC2G06GF - 反相器，带开漏输出
• BGA3015 - 1 GHz 15 dB增益宽带放大器MMIC
• PBSS2515VS - 15 V低VCEsat NPN双重晶体管
• BZX84J-B24 - 单倍齐纳二极管
• PBSS8110D - 100 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BLS7G3135L-350P - LDMOS S波段雷达功率晶体管
• 74HC(T)03 - 四路2输入与非门
• PSMN014-40YS - N沟道LFPAK 40 V，14 m?标准电平MOSFET