
CLF1G0035-50技术文档下载:
CLF1G0035-50产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC33978ESR2 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- MC68HC908QY1CPE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SSTUH32864EC/G,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
- PZU3.9B2,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 74ABT646AD,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MFS8602BMDA0ES - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- N74F10N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- BF861B,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- S9S12VR64F2VLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S12KG128MPVE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



CLF1G0035-50 - 宽带RF功率GaN HEMT
CLF1G0035-50是NXP恩智浦公司的一款GaN器件产品,CLF1G0035-50是宽带RF功率GaN HEMT,本站介绍了CLF1G0035-50的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CLF1G0035-50相关的NXP元器件型号供参考。
CLF1G0035-50 - 宽带RF功率GaN HEMT - GaN器件 - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
CLF1G0035-50和CLF1G0035S-50是宽带通用50 W放大器,采用了恩智浦的第1代GaN HEMT技术。工作频率为DC至3.5 GHz。
产品特性和优势
- 工作频率为DC至3.5 GHz
- 50 W通用宽带RF功率GaN HEMT
- 极佳的强度(VSWR 10 : 1)
- 高电压操作(50 V)
- 热增强封装
产品应用
- 商业无线基础设施(蜂窝、WiMAX)
- 雷达
- 宽带通用放大器
- 公共移动无线电
- 工业、科学、医疗
- 干扰器
- EMC测试
- 国防应用
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