74LVT2241高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动。

74LVT2241器件是八进制缓冲器，非常适合用于驱动总线线路。该器件具有两个输出使能（1OE，2OE），每个使能都控制四个3态输出。

74LVT2241设计为在处于输出的高电平和低电平状态时都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

• 八路总线接口
• 3态缓冲器
• 输出能力：±12 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 上电3态
• 允许带电插拔
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V。
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部端接电阻。

• 低功耗开关模式电源
• 整流
• 极性保护。

• BZB84-B13 - 双倍齐纳二极管
• PDTA143TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• PBSS301PZ - 12 V、5.7 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PMBT4403 - 40 V, 600 mA, PNP switching transistor
• PLVA2650A - 双倍低压雪崩稳压器二极管
• PMEG4005ESF - 40 V, 0.5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• 74ALVC125D - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BAP50-05 - 通用PIN二极管
• 74AUP1G04GS - 低功耗反相器
• PBSS4021SN - 20 V，7.5 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管