PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用超薄DFN2020D-3 (SOT1061D)无引脚小型表面贴装器件(SMD)塑料封装，具有中等功率能力和可见且可焊的侧焊盘。

NPN补充：PBSS4330PAS

• 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
• 高集电极电流能力IC和ICM
• 高集电极电流增益：hFE（高IC时）
• 发热量更低、能效更高
• 适合于高达175 °C的高温应用
• 减少了印刷电路板(PCB)的面积需求
• 无引脚小型SMD塑料封装，采用可焊侧焊盘
• 外露式热沉，具有出色的热、电传导性能
• 适合于焊点的自动光学检测(AOI)
• 符合AEC-Q101标准

• 负载开关
• 电池驱动设备
• 电源管理
• 充电电路
• 电源开关（如电机、风扇）

• 74AHCT14BQ - 十六进制反相施密特触发器
• PDTB123ET - PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PDTA144V series - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm
• NPIC6C595D - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出
• 74LVT16245BDGG - 3.3 V 16位收发器；3态
• TDA8007BHL - 多协议IC卡接口
• BLF888B(S) - UHF功率LDMOS晶体管
• 74LVT573DB - 3.3 V八进制D型透明锁存器；3态
• PBSS4540X - 40 V、5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC1G07GM - 缓冲器，带开漏输出