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NX3L1T3157产品应用图解:


NXP恩智浦芯片:
- MC68332AMAG20 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P80C31SBAA,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PH1875L,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74HCT646N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC9S08QE128CFTR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCIMX6L8DVN10SA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZU12B3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- TEF3100HN/V205K - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- PSMN9R0-30YL,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- TEA1522T/N2,518 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- MC9S08EL32CTJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PSMN8R0-30YL,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- BZX284-B3V3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PCA9510AD,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- 74LVC14ADB,112 - 未分类 > 未分类
- PDTA144TM,315 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- BA591115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- PHD45NQ15T,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- SAA7105E/V1/G,557 - 集成电路(IC) > 接口 > 编码器,解码器,转换器
- SC26C92A1N,112 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)



NX3L1T3157 - 低电阻单刀双掷模拟开关
NX3L1T3157是NXP恩智浦公司的一款模拟开关产品,NX3L1T3157是低电阻单刀双掷模拟开关,本站介绍了NX3L1T3157的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与NX3L1T3157相关的NXP元器件型号供参考。
NX3L1T3157 - 低电阻单刀双掷模拟开关 - 模拟开关 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
NX3L1T3157是低电阻单刀双掷模拟开关,适合用作模拟或数字2:1多路复用器/多路解复用器。其具有一个数字选择输入,两个独立的输入/输出(Y0和Y1)和一个公用输入/输出(Z)。
施密特触发器在数字输入处工作,这使得电路容许较慢的输入上升和下降时间。低阈值数字输入允许该器件可以由3.3 V应用中的1.8 V逻辑电平驱动,而没有显著增加电源电流ICC。NX3L1T3157允许具有高达VCC振幅的信号从Z传输到Y0或Y1,或从Y0或Y1传输到Z。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保传输的信号具有最小衰减和失真。
产品特性和优势
- 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
- 极低的导通电阻(峰值):
- VCC = 1.4 V时为1.6 Ω(典型值)
- VCC = 1.65 V时为1.0 Ω(典型值)
- VCC = 2.3 V时为0.55 Ω(典型值)
- VCC = 2.7 V时为0.50Ω(典型值)
- VCC = 4.3 V时为0.50 Ω(典型值)
- 先断后通切换
- 高抗噪性
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114E 3A类超过7500 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
- 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过8000 V
- 低功耗CMOS
- 闭锁性能超过JESD 78 II类A级规定的100 mA
- 1.8 V控制逻辑,VCC = 3.6 V
- 控制输入接受高于电源电压的电压
- 极低的电源电流,即便输入低于VCC
- 高电流处理能力(3.3 V供电时有350 mA的连续电流)
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
产品应用
- 手机
- PDA
- 便携式媒体播放器
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