NX3L1T3157是低电阻单刀双掷模拟开关，适合用作模拟或数字2:1多路复用器/多路解复用器。其具有一个数字选择输入，两个独立的输入/输出（Y0和Y1）和一个公用输入/输出(Z)。

施密特触发器在数字输入处工作，这使得电路容许较慢的输入上升和下降时间。低阈值数字输入允许该器件可以由3.3 V应用中的1.8 V逻辑电平驱动，而没有显著增加电源电流ICC。NX3L1T3157允许具有高达VCC振幅的信号从Z传输到Y0或Y1，或从Y0或Y1传输到Z。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保传输的信号具有最小衰减和失真。

• 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
• 极低的导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时为1.6 Ω（典型值）
  • VCC = 1.65 V时为1.0 Ω（典型值）
  • VCC = 2.3 V时为0.55 Ω（典型值）
  • VCC = 2.7 V时为0.50Ω（典型值）
  • VCC = 4.3 V时为0.50 Ω（典型值）
• 先断后通切换
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E 3A类超过7500 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过8000 V
• 低功耗CMOS
• 闭锁性能超过JESD 78 II类A级规定的100 mA
• 1.8 V控制逻辑，VCC = 3.6 V
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 极低的电源电流，即便输入低于VCC
• 高电流处理能力（3.3 V供电时有350 mA的连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• PUMB13 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PZU12DB2 - 双倍齐纳二极管
• BZV55-B56 - 稳压器二极管
• BLF182XR - Power LDMOS transistor
• PBSS2515MB - 15 V，0.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC3GU04 - 三路反相器
• 74AUP1G175 - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• 1PS70SB82 - 肖特基势垒（双）二极管
• SAF3606EL - Digital radio and processing system-on-chip
• BLF871S - 超高频LDMOS功率晶体管