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PBSS306PZ - 100 V，4.1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS306PZ是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品，PBSS306PZ是100 V，4.1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管，本站介绍了PBSS306PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PBSS306PZ相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS306PZ - 100 V，4.1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat（BISS）晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用SOT223 (SC-73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN补充产品：PBSS306NZ。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益(hFE)（高IC时）
- 发热量更低、效率高
- 相比传统晶体管更小的印刷电路板(PCB)面积
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 高压DC-DC转换
- 高压MOSFET栅极驱动
- 高压马达控制
- 高压电源开关（例如：马达、风扇）
- 汽车电子应用
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