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PBSS303ND - 60 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS303ND是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品，PBSS303ND是60 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管，本站介绍了PBSS303ND的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PBSS303ND相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS303ND - 60 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat（BISS）晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用SOT457 (SC-74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
PNP补充：PBSS303PD。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益：hFE（高IC时）
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比，所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 高压DC-DC转换
- 高压MOSFET栅极驱动
- 高压电机控制
- 高压电源开关（如电机、风扇）
- 薄膜晶体管(TFT)背光逆变器
- 汽车应用
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