
PBRN113ZT技术文档下载:
PBRN113ZT产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC9S08QE32CLCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC908QY2ACDTE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LD6836TD/30H,125 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- 74LVT16500ADL,512 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 通用总线功能
- MC33PF8100A0TSR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- 1N4745A,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PCA9671BS,118 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器



PBRN113ZT - NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 1 kOhm,R2 = 10 kOhm
PBRN113ZT是NXP恩智浦公司的一款RET 600mA/40V 低VCEsat产品,PBRN113ZT是NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 1 kOhm,R2 = 10 kOhm,本站介绍了PBRN113ZT的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBRN113ZT相关的NXP元器件型号供参考。
PBRN113ZT - NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 1 kOhm,R2 = 10 kOhm - RET 600mA/40V 低VCEsat - 配备电阻的晶体管(RET) - 恩智浦
产品描述
800 mA NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)配电阻晶体管(RET)系列,采用小型塑料封装。
产品特性和优势
- 800 mA的输出电流能力
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高电流增益hFE
- 元器件数量更少
- 内置偏置电阻
- 贴片成本更低
- 电路设计更为简化
- +-10%电阻比容差
产品应用
- 汽车电子和工业领域中的数字应用
- 开关负载
- 中等电流外设驱动器
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