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PBRN113ZT产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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PBRN113ZT - NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 1 kOhm,R2 = 10 kOhm
PBRN113ZT是NXP恩智浦公司的一款RET 600mA/40V 低VCEsat产品,PBRN113ZT是NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 1 kOhm,R2 = 10 kOhm,本站介绍了PBRN113ZT的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBRN113ZT相关的NXP元器件型号供参考。
PBRN113ZT - NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 1 kOhm,R2 = 10 kOhm - RET 600mA/40V 低VCEsat - 配备电阻的晶体管(RET) - 恩智浦
产品描述
800 mA NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)配电阻晶体管(RET)系列,采用小型塑料封装。
产品特性和优势
- 800 mA的输出电流能力
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高电流增益hFE
- 元器件数量更少
- 内置偏置电阻
- 贴片成本更低
- 电路设计更为简化
- +-10%电阻比容差
产品应用
- 汽车电子和工业领域中的数字应用
- 开关负载
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