
BLF7G20LS-90P技术文档下载:
BLF7G20LS-90P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- NT3H2111W0FTTJ - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- S912XHY256F0CLM - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC1225FBD48/321,1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- JN5139-Z01-M/00R1T - 射频和无线 > 射频收发器模块和调制解调器
- 74HCT280N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 奇偶校验发生器和校验器
- 74HCT299D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- TJA1052IT/2Y - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
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- HEF4526BP,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器



BLF7G20LS-90P - 功率LDMOS晶体管
BLF7G20LS-90P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF7G20LS-90P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF7G20LS-90P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF7G20LS-90P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF7G20LS-90P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
1800 MHz至2000 MHz频率范围基站应用90 W LDMOS功率晶体管,主要用于1427 MHz至1525 MHz、1805 MHz至1880 MHz和2110 MHz至2170 MHz的操作。
产品特性和优势
- 极佳的抗失配性
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(1427 MHz至2170 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- 基站和多载波应用RF功率放大器
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