NX3V1T66是低电阻单刀单掷模拟开关。其具有两个输入/输出端子（Y和Z）和有源高电平使能输入引脚(E)。引脚E为低电平时，模拟开关关闭。

施密特触发器在使能输入(E)处工作，这使得电路容许较慢的输入上升和下降时间。低输入电压阈值允许引脚E由低电平逻辑信号驱动，而没有显著增加电源电流ICC。这使NX3V1T66能够通过1.8 V的数字控制器切换4.3 V的信号，无需逻辑电平转换。

NX3V1T66允许具有高达VCC振幅的信号从Y传输到Z；或从Z传输到Y。其超低导通电阻(0.3 Ω)和平坦度(0.1 Ω)确保传输的信号具有最小衰减和失真。

• 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
• 极低的导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时为0.8 Ω（典型值）
  • VCC = 1.65 V时为0.5 Ω（典型值）
  • VCC = 2.3 V时为0.3 Ω（典型值）
  • VCC = 2.7 V时为0.25 Ω（典型值）
  • VCC = 4.3 V时为0.25 Ω（典型值）
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22A115A超过200 V
  • CDM AECQ100011修订版B超过1000 V
  • 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过6000 V
• 低功耗CMOS
• 闭锁性能超过JESD 78B II类A级规定的100 mA
• 启用输入接受高于电源电压的电压
• 1.8 V控制逻辑，VCC = 3.6 V
• 高电流处理能力（3.3 V供电时500 mA的连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• NZX5V1C - 单倍齐纳二极管
• PMBT3906YS - 40 V，200 mA PNP/PNP通用双晶体管
• PBSS8110T - 100 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BCW60D - NPN通用晶体管
• 74AUP1G97GF - 低功耗可配置多功能门
• PSMN7R5-30MLD - N沟道30 V，7.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
• XC7SET02GW - 2输入或非门
• 74VHC595BQ - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• PZU4.7B1A - 单倍齐纳二极管
• 74AUP2G157 - 低功耗2输入多路复用器