74AUP1G97提供多个可配置的函数。输出状态由3位输入的八个模式确定。用户可选择逻辑函数“多路复用”、“与”、“或”、“与非”、“或非”、反相器和缓冲器。所有输入可连接至VCC或GND。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

74AUP1G97具有施密特触发器输入，能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• BAS516 - 高速开关二极管
• PTVS24VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• 74LVT162374DL - 带30 Ohm终端电阻的3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• PZU18B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PBSS4021NZ - 20 V，8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PESD24VS1UB - 采用SOD523封装的ESD保护二极管
• BZB784-C2V4 - 双倍稳压器二极管
• GTL2002DP - 2位双向低电压变换器
• PESD12VS1UB - 采用SOD523封装的ESD保护二极管
• PSMN7R0-100ES - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。