NX3P2902B是高端负载开关，具有低导通电阻P沟道MOSFET。该MOSFET支持超过500 mA的连续电流和能在禁用时给输出电容放电的集成输出放电电阻。其专门针对1.1 V到3.6 V工作设计，用于电源域隔离应用，以降低功耗，延长电池寿命。使能逻辑器件包括集成逻辑电平转换，使该器件兼容低电压处理器和控制器。由于低接地电流和断态电流，NX3P2902B是便携式电池供电应用的理想选择。

• 宽电源电压范围：1.1 V至3.6 V
• 极低的导通电阻：
  • 电源电压1.8 V时为95 m?
• 高抗噪性
• 关断状态下的低漏电电流（最大2.0 μA）
• 电源电压为3.6 V时1.2 V的控制逻辑
• 高电流处理能力（500 mA的连续电流）
• 内部输出放电电阻
• 导通压摆率限制
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过500 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

• BZX84J-B62 - 单倍齐纳二极管
• 74LVC1G80GX - 单D型触发器；正沿触发器
• 74HC166PW - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74AUP1G132GX - 低功耗2输入与非门施密特触发器
• 74AUP1G86GS - 低功耗2输入异或门
• P60D144PX1 - 安全高性能双接口智能卡控制器
• XC7SET125GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN5R0-100ES - N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• 74HC4024 - 7级二进制纹波计数器
• NX3008NBKW - 30 V，350 mA N沟道Trench MOSFET