NX3P2902B是高端负载开关，具有低导通电阻P沟道MOSFET。该MOSFET支持超过500 mA的连续电流和能在禁用时给输出电容放电的集成输出放电电阻。其专门针对1.1 V到3.6 V工作设计，用于电源域隔离应用，以降低功耗，延长电池寿命。使能逻辑器件包括集成逻辑电平转换，使该器件兼容低电压处理器和控制器。由于低接地电流和断态电流，NX3P2902B是便携式电池供电应用的理想选择。

• 宽电源电压范围：1.1 V至3.6 V
• 极低的导通电阻：
  • 电源电压1.8 V时为95 m?
• 高抗噪性
• 关断状态下的低漏电电流（最大2.0 μA）
• 电源电压为3.6 V时1.2 V的控制逻辑
• 高电流处理能力（500 mA的连续电流）
• 内部输出放电电阻
• 导通压摆率限制
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过500 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

• PBLS1503Y; PBLS1503V - 15 V PNP BISS负载开关
• PSMN2R2-40BS - N沟道40 V 2.2 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• BZX384-B3V9 - 稳压器二极管
• UBA2213AT - 用于升压CFL的不可调光驱动器IC
• BZX585-B11 - 稳压器二极管
• CBT3253ADB - 双路4选1 FET多路复用器/解复用器
• 74ALVT16501 - 18位通用总线收发器；3态
• PMZB950UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• PZU18B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• SC16C754BIB80 - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有64字节FIFO