74HC166；74HCT166是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该类器件具有一个串行数据输入(DS)、八个并行数据输出（Q0至Q7）和一个串行输出(Q7)。并行使能输入(PE)为低电平时，来自D0至D7的数据在时钟输入(CP)下一次从低电平跃迁至高电平时会加载到移位寄存器中。PE为高电平时，数据随CP每次从低电平跃迁到高电平在DS处串行输入到寄存器。时钟使能输入(CE) 为低电平时，数据在CP从低电平跃迁到高电平时移位。CE上的高电平可禁用CP输入。输入包括能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压的钳位二极管。

• 同步并行到串行应用
• 同步串行输入，可实现轻松扩展
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 输入电平：
  • 对于74HC166：CMOS电平
  • 对于74HCT166：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C至+85?°C和-40?°C至+125?°C

• 74AXP1G125GM - 低功耗缓冲器/线路驱动器（三态）
• NTB0101GM - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• BUK766R0-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PSMN013-100PS - N沟道100 V 13.9m?标准电平MOSFET，采用TO220封装。
• PN5120A0HN1 - Full NFC Forum Compliant Solution
• TEF6659HN - 基于DSP的无线电调谐器单芯片
• BCP55; BCX55; BC55PA - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• 1PS76SB17 - 4 V、30 mA低C_d肖特基势垒二极管
• PZU2.7B2A - 单倍齐纳二极管
• PZUxB series - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管