74HC166；74HCT166是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该类器件具有一个串行数据输入(DS)、八个并行数据输出（Q0至Q7）和一个串行输出(Q7)。并行使能输入(PE)为低电平时，来自D0至D7的数据在时钟输入(CP)下一次从低电平跃迁至高电平时会加载到移位寄存器中。PE为高电平时，数据随CP每次从低电平跃迁到高电平在DS处串行输入到寄存器。时钟使能输入(CE) 为低电平时，数据在CP从低电平跃迁到高电平时移位。CE上的高电平可禁用CP输入。输入包括能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压的钳位二极管。

• 同步并行到串行应用
• 同步串行输入，可实现轻松扩展
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 输入电平：
  • 对于74HC166：CMOS电平
  • 对于74HCT166：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C至+85?°C和-40?°C至+125?°C

• PMBT3906 - PNP开关晶体管
• 74HC165DB - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74HC(T)3G14 - 三路反相施密特触发器
• 74HC4046ADB - 锁相环，具有VCO
• SA605DK - 高性能低功耗混频器FM IF系统
• PXT4401 - NPN开关晶体管
• BSH111BK - 55 V, N-channel Trench MOSFET
• BZX384-C75 - 稳压器二极管
• BZV49-C3V6 - 稳压器二极管
• PBLS4005D - 40 V PNP BISS负载开关