
NX3L1G384GW技术文档下载:
NX3L1G384GW产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- MIMX9351XVVXMACR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MCXA265VLQ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDA19978AHV15C183, - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- TJA1021T/10/C,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- BZX585-C62,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- FS32K118VFT0MLHT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMXRT1064CVJ5B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PXAG49KBA/00,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P87LPC762FN,112 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVT646D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74HCT563DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- LS1012ASE7EKA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPC860SRZQ66D4R2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPC866PVR100A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TJA1044CTK/0J - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- P80C31SBBB,557 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC859DSLCVR50A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZM4.3NB,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- TEA18362LT/1J - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- PQMD2147 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置



NX3L1G384GW - 低电阻单刀单掷模拟开关
NX3L1G384GW是NXP恩智浦公司的一款模拟开关产品,NX3L1G384GW是低电阻单刀单掷模拟开关,本站介绍了NX3L1G384GW的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与NX3L1G384GW相关的NXP元器件型号供参考。
NX3L1G384GW - 低电阻单刀单掷模拟开关 - 模拟开关 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
NX3L1G384是低电阻单刀单掷模拟开关。其具有两个输入/输出端子(Y和Z)和有源低电平使能输入引脚(E)。E为高电平时,模拟开关关闭。
施密特触发器在使能输入(E)处工作,这使得电路容许较慢的输入上升和下降时间。NX3L1G384允许具有高达VCC振幅的信号从Y传输到Z;或从Z传输到Y。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保传输的信号具有最小衰减和失真。
产品特性和优势
- 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
- 极低的导通电阻(峰值):
- VCC = 1.4 V时为1.6 Ω(典型值)
- VCC = 1.65 V时为1.0 Ω(典型值)
- VCC = 2.3 V时为0.55 Ω(典型值)
- VCC = 2.7 V时为0.50Ω(典型值)
- VCC = 4.3 V时为0.50 Ω(典型值)
- 高抗噪性
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
- 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过4000 V
- 低功耗CMOS
- 闭锁性能超过JESD 78 II类A级规定的100 mA
- 3.0 V TTL电平的直接接口
- 控制输入接受高于电源电压的电压
- 高电流处理能力(3.3 V供电时有350 mA的连续电流)
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
产品应用
- 手机
- PDA
- 便携式媒体播放器
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