74AUP3G0434是双路反相器和单路缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS13VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• 74HC05D - 六位元反相器，带开漏输出
• 74AHCT32PW - 四路2输入或门
• PESD12VS2UQ - 采用SOT663封装的双ESD保护二极管
• BLP25M705 - 宽带LDMOS驱动晶体管
• 74AUP1G240GM - 低功耗反相缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN4R2-60PL - N沟道60 V，3.9 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装
• BUK7880-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BLF7G27L(S)-90P - 功率LDMOS晶体管
• 74HC14BQ - 十六进制反相施密特触发器