74AUP1G57提供多个可配置的函数。输出状态由3位输入的八个模式确定。用户可选择逻辑函数“与”、“或”、“与非”、“或非”、“异或非”、反相器和缓冲器。所有输入可连接至VCC或GND。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

74AUP1G57具有施密特触发器输入，能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS45VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BUK7K13-60E - Dual N-channel 60 V, 10 mΩ standard level MOSFET
• 1PS70SB82_84_85_86 - 肖特基势垒（双）二极管
• P60D144PA4 - 安全高性能双接口智能卡控制器
• PSMN1R8-40YLC - N沟道40 V 1.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BUK763R9-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BUK7Y72-80E - N沟道80 V，72 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74VHC541BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AUP2GU04GM - 低功耗双路非缓冲反相器
• PESD3V3L5UF - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列