NPIC6C595是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S）功能，可实现级联和异步复位输入（MR）。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入的从低到高转换转移到存储寄存器，并通过SHCP输入的从低到高转换转移到Q7S输出。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护。该特性使器件非常适合用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。

• 指定温度范围为-40 °C至+125 °C
• 低RDSon
• 八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
• 250 mA限流能力
• 输出箝位电压33 V
• 30 mJ雪崩能量能力
• 所有寄存器通过单个输入清零
• 低功耗
• ESD保护：
  • HBM JDS-001 2类超过2500 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V

• LED标志
• 图形状态面板
• 故障状态指示器

• 74HC(T)221 - 双非可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• PCA9555D - 带有中断的16位I2C总线和SMBus I/O端口
• BC54PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• 74LVC132A - 四路2输入与非施密特触发器
• PTVS6V0S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• 74AUP2G34GF - 低功耗双路缓冲器
• BLF8G10LS-160V - 功率LDMOS晶体管
• BZV90-C47 - 稳压器二极管
• PZU11B1A - 单倍齐纳二极管
• PUMB18 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ