NPIC6C595是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S）功能，可实现级联和异步复位输入（MR）。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入的从低到高转换转移到存储寄存器，并通过SHCP输入的从低到高转换转移到Q7S输出。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护。该特性使器件非常适合用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。

• 指定温度范围为-40 °C至+125 °C
• 低RDSon
• 八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
• 250 mA限流能力
• 输出箝位电压33 V
• 30 mJ雪崩能量能力
• 所有寄存器通过单个输入清零
• 低功耗
• ESD保护：
  • HBM JDS-001 2类超过2500 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V

• LED标志
• 图形状态面板
• 故障状态指示器

• PEMB15; PUMB15 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• PDTA144VMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 10 kΩ
• PTVS30VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• NCX2202GM - 低压比较器；开漏输出
• BUK754R0-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PUMD3 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?10?kΩ，?R2?=?10?kΩ
• TJA1027 - LIN 2.2/SAE J2602收发器
• PTVS8V5P1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• 74LVC2T45GM - 双电源转换收发器；3态
• BLF8G24LS-100GV - 功率LDMOS晶体管