NPIC6C595是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S）功能，可实现级联和异步复位输入（MR）。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入的从低到高转换转移到存储寄存器，并通过SHCP输入的从低到高转换转移到Q7S输出。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护。该特性使器件非常适合用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。

• 指定温度范围为-40 °C至+125 °C
• 低RDSon
• 八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
• 250 mA限流能力
• 输出箝位电压33 V
• 30 mJ雪崩能量能力
• 所有寄存器通过单个输入清零
• 低功耗
• ESD保护：
  • HBM JDS-001 2类超过2500 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V

• LED标志
• 图形状态面板
• 故障状态指示器

• 74HC(T)540 - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• BZX79-C15 - 稳压器二极管
• NZX15X - 单倍齐纳二极管
• PTVS15VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BZX84J-B62 - 单倍齐纳二极管
• PHPT60603NY - 60 V、3A NPN高功率双极性晶体管
• 74AHCT08BQ - 四路2输入与门
• DFN1010D_3_SERIES - 集电极 - 发射极电压VCEO = 30 V和60 V；集电极电流IC = 1 A和2 A。占用更小体积而实现的SOT23性能。
• 74ALVT16244DGG - 2.5 V / 3.3 V 16位缓冲器/驱动器（3态）
• BLP05H635XR - Power LDMOS transistor