
PTVS6V0S1UTR技术文档下载:
PTVS6V0S1UTR产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- NX3L1G3157GM,115 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- PUMD12,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- S9S08DZ60F1MLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9328MX1VM20 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC34901SEF - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- BF998WR,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MKL36Z128VLL4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33FS8405G0ES - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用



PTVS6V0S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
PTVS6V0S1UTR是NXP恩智浦公司的一款400W TVS二极管产品,PTVS6V0S1UTR是高温400 W瞬态电压抑制器,本站介绍了PTVS6V0S1UTR的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PTVS6V0S1UTR相关的NXP元器件型号供参考。
PTVS6V0S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器 - 400W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
400 W单向瞬态电压抑制器(TVS)采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装设备(SMD)塑料封装,可为高温应用提供瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 400 W(3V3为350 W)
- 反向关态电压范围:VRWM = 3.3 V至64 V
- 反向电流:IRM = 0.001 μA
- 极低封装高度:1 mm
- 高温稳定性:Tj ≤185 °C
- 小型塑料封装,适合表贴设计
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 电源保护
- 汽车电子应用
- 工业应用
- 电源管理
- 高温应用
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