该器件是符合SD 3.0规范的6位双向双电平转换器。它设计用于在1.8 V或2.9 V信号电平下工作的记忆卡和具有1.7 V至3.6 V固定标称电源电压的主机之间接口。该器件支持SD 3.0、SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12和SD 2.0高速(50 MHz)和默认速度(25 MHz)模式。该器件具有集成的电压可选的低压差稳压器，用于为卡端I/O供电，还具有内置EMI滤波器和强大的ESD保护（符合IEC 61000-4-2第四级标准）。

• 支持最高208 MHz的时钟速率
• 用于时钟同步的反馈通道
• 符合SD 3.0规范的电压转换，支持SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、高速和默认速度模式
• 100 mA低压差稳压器，为卡端I/O供电
• 采用先断后合架构，推挽输出级具有低功耗
• 集成式上拉和下拉电阻：无需外部电阻
• 集成式EMI滤波器可抑制数字I/O的高次谐波
• 卡端提供集成8 kV ESD保护，符合IEC 61000-4-2第四级标准
• 电平转换缓冲器可以让ESD应力远离主机（零钳位概念）
• 25焊球WLCSP封装；间距0.4 mm

• 智能手机
• 手机
• 数码相机
• 平板电脑
• 便携式计算机
• SD、MMC或microSD读卡器

• BZB84-B11 - 双倍齐纳二极管
• 74LVC2G04GM - 双频逆变器
• 74AHC00D - 四路2输入与非门
• 74AHCT164PW - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74LVC2T45GF - 双电源转换收发器；3态
• 74HC123PW - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• 74ALVT16821DGG - 20位总线接口D型触发器；正沿触发器（三态）
• MMBT3904 - NPN开关晶体管
• 74HC85D - 4位量值比较器
• 74AUP1G240 - 低功耗反相缓冲器/线路驱动器；3态