该器件是符合SD 3.0规范的6位双向双电平转换器。它设计用于在1.8 V或2.9 V信号电平下工作的记忆卡和具有1.7 V至3.6 V固定标称电源电压的主机之间接口。该器件支持SD 3.0、SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12和SD 2.0高速(50 MHz)和默认速度(25 MHz)模式。该器件具有集成的电压可选的低压差稳压器，用于为卡端I/O供电，还具有内置EMI滤波器和强大的ESD保护（符合IEC 61000-4-2第四级标准）。

• 支持最高208 MHz的时钟速率
• 用于时钟同步的反馈通道
• 符合SD 3.0规范的电压转换，支持SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、高速和默认速度模式
• 100 mA低压差稳压器，为卡端I/O供电
• 采用先断后合架构，推挽输出级具有低功耗
• 集成式上拉和下拉电阻：无需外部电阻
• 集成式EMI滤波器可抑制数字I/O的高次谐波
• 卡端提供集成8 kV ESD保护，符合IEC 61000-4-2第四级标准
• 电平转换缓冲器可以让ESD应力远离主机（零钳位概念）
• 25焊球WLCSP封装；间距0.4 mm

• 智能手机
• 手机
• 数码相机
• 平板电脑
• 便携式计算机
• SD、MMC或microSD读卡器

• 74LVC541A - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• SL3S1213FUF - UCODE G2iL和G2iL+
• 74AUP1T45 - 低功耗双电源转换收发器；3态
• 74LVC2G86GS - 双路2输入异或门
• BGU7075 - Analog controlled high linearity low noise variable gain amplifier
• PDZ27B - 稳压器二极管
• GTL2002DP - 2位双向低电压变换器
• PHD101NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HCU04D - 六位元反相器
• 74LV4094D - 8级移位和存储总线寄存器