该器件是符合SD 3.0规范的6位双向双电平转换器。它设计用于在1.8 V或2.9 V信号电平下工作的记忆卡和具有1.7 V至3.6 V固定标称电源电压的主机之间接口。该器件支持SD 3.0、SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12和SD 2.0高速(50 MHz)和默认速度(25 MHz)模式。该器件具有集成的电压可选的低压差稳压器，用于为卡端I/O供电，还具有内置EMI滤波器和强大的ESD保护（符合IEC 61000-4-2第四级标准）。

• 支持最高208 MHz的时钟速率
• 用于时钟同步的反馈通道
• 符合SD 3.0规范的电压转换，支持SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、高速和默认速度模式
• 100 mA低压差稳压器，为卡端I/O供电
• 采用先断后合架构，推挽输出级具有低功耗
• 集成式上拉和下拉电阻：无需外部电阻
• 集成式EMI滤波器可抑制数字I/O的高次谐波
• 卡端提供集成8 kV ESD保护，符合IEC 61000-4-2第四级标准
• 电平转换缓冲器可以让ESD应力远离主机（零钳位概念）
• 25焊球WLCSP封装；间距0.4 mm

• 智能手机
• 手机
• 数码相机
• 平板电脑
• 便携式计算机
• SD、MMC或microSD读卡器

• 74VHCT245PW - 八进制总线收发器；3态
• BC846BM - 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
• NVT2001; NVT2002 - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• PMEG2010AEB - 20 V、1 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管，采用SOD523封装
• 74HCT244DB - 八进制缓冲器/线路驱动器；3态
• SA602AD - 双平衡混频器和振荡器
• BC847BW - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• 74HC1G00GV - 2输入与非门
• TDF8590TH - 2 X 80 W SE (4 Ω)或1 X 160 W BTL (8 Ω) D类放大器
• CBT3306GT - 双路总线开关