74LVC2G04提供双路反相缓冲器。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。这些特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中使用这些器件。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成损坏。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平接合
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLL6H0514L(S)-130 - LDMOS驱动器晶体管
• 2N7002BK - 60 V，350 mA N沟道Trench MOSFET
• PBLS2004D - 20 V PNP BISS负载开关
• BUK7Y21-40E - N沟道40 V，21 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PTVS24VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PBLS1501V - 15 V PNP BISS负载开关
• 74AHC1G00GW - 2输入与非门
• 74HC164D - 8位串行输入并行输出移位寄存器
• TEA1723BT - 适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 905 Hz
• BUK9875-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET