集成式高性能保护二极管可保护家电产品免受±30 kV的静电放电(ESD)损坏，远高于IEC61000-4-2第四级标准，避免过压和极性错误。

每个器件包括一个高电平ESD保护二极管，采用4通道0.4 mm (IP438xCX4)或0.5 mm (IP4085CX4)间距晶圆级芯片封装(WLCSP)。ESD保护二极管的阳极和阴极各连接到两个焊球。

• 单集成式高性能ESD保护二极管
• 浪涌抗扰度符合IEC 61000-4-5 (8/20 μs)，高达60 A (IP4085CX4)
• 超过30 kV接触放电电压的ESD保护，远高于IEC 61000-4-2四级标准要求
• 小型2 x 2焊球WLCSP封装，间距0.4 mm或0.5 mm

• 通用ESD保护，例如适用于以下应用的充电器接口：
  • 移动电话
  • 便携式设备
  • 无线数据系统

• 74ALVT16601 - 18位通用总线收发器；3态
• BGA3015 - 1 GHz 15 dB增益宽带放大器MMIC
• PHB29N08T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PSMN1R1-30PL - N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装
• 74AUP1G373GW - 低压D型透明锁存器；3态
• CBT3125D - 四路FET总线开关
• PCA9701; PCA9702 - 18 V tolerant SPI 16-bit/8-bit GPI with INT
• PDTA143TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• BZT52H-C3V9 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74AUP1G132GX - 低功耗2输入与非门施密特触发器