集成式高性能保护二极管可保护家电产品免受±30 kV的静电放电(ESD)损坏，远高于IEC61000-4-2第四级标准，避免过压和极性错误。

每个器件包括一个高电平ESD保护二极管，采用4通道0.4 mm (IP438xCX4)或0.5 mm (IP4085CX4)间距晶圆级芯片封装(WLCSP)。ESD保护二极管的阳极和阴极各连接到两个焊球。

• 单集成式高性能ESD保护二极管
• 浪涌抗扰度符合IEC 61000-4-5 (8/20 μs)，高达60 A (IP4085CX4)
• 超过30 kV接触放电电压的ESD保护，远高于IEC 61000-4-2四级标准要求
• 小型2 x 2焊球WLCSP封装，间距0.4 mm或0.5 mm

• 通用ESD保护，例如适用于以下应用的充电器接口：
  • 移动电话
  • 便携式设备
  • 无线数据系统

• PDTC114TMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 开路
• TDZ4V7J - 单倍齐纳二极管
• 74ABT245PW - 八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• MFRC52301HN1 - 标准3V ISO/IEC 14443 A/B读卡器解决方案
• 74HCT4852BQ - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• 74LVC574A - 带5 V容压输入/输出的八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• PZU18B3A - 单倍齐纳二极管
• 74LVCH162373ADL - 16位D型透明锁存器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 2N7002BK - 60 V，350 mA N沟道Trench MOSFET