74LVC162373A和74LVCH162373A是16位D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入以及总线保持（仅74LVCH162373A）和适合总线应用的3态输出。每个八位部分都提供一个锁存使能（针脚nLE）输入和一个输出使能（针脚nOE）。输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用于混合3.3 V和5 V应用。该器件由八个带3态真正输出的D型透明锁存器的两个部分组成。针脚nLE为高电平时，其对应的数据输入（针脚nDn）处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，即每当与锁存输出对应的数据输入发生变化时，锁存输出就会随之变化。针脚nLE为低电平时，锁存器存储针脚nLE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在数据输入处出现的信息。针脚nOE 为低电平时，八个锁存器的内容可在输出上获取。针脚nOE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。nOE输入的操作不会影响锁存器的状态。

该器件设计为在高电平和低电平输出级中都具有可减少线路噪声的30 Ω串联端接电阻。数据输入上的总线保持无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• Multibyte直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感电源针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 所有数据输入都具有总线保持（仅74LVCH162373A）
• VCC = 0 V时的高阻抗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• CLF1G0060-30 - 宽带RF功率GaN HEMT
• PDZ18B - 稳压器二极管
• CLF1G0035(S)-100P - 宽带RF功率GaN HEMT
• PSMN2R8-40BS - N沟道40 V 2.9 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PDTB143XT - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• PSMN4R5-40BS - N沟道40 V 4.5 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PMEG4020EPAS - 40 V, 2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• 74LVCH244ADB - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PEMI1QFN - 集成式1、2、4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• 74LVC1G74GT - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器