HEF4794B是8级串行移位寄存器。其具有与每一级都相关的存储锁存器，将数据从串行输入(D)选通到并行LED驱动器输出（QP0至QP7）。数据在时钟(CP)正向跃迁时移位。选通(STR)输入为高电平时，每个移位寄存器级中的数据都会被传输到存储寄存器。只要输出使能输入(OE)信号为高电平，存储寄存器中的数据就会出现在输出处。

两个串行输出（QS1和QS2）可用于级联各种HEF4794B器件。时钟正边沿上的QS1提供串行数据，在具有快速时钟上升时间的级联系统中可实现高速操作。下一个时钟负边沿上的QS2提供同一串行数据。时钟具有缓慢上升时间时，这用于级联HEF4794B器件。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN匹配双晶体管
• PTVS6V5S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BZX585-B3V0 - 稳压器二极管
• BAV99 series - 高速开关二极管
• BAW56S - 高速开关二极管
• PSMN1R5-40ES - N沟道40 V 1.6 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。
• PMXB65ENE - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• PBHV9050T - 500 V，150 mA PNP高压低VCEsat (BISS)晶体管
• PESD1CAN-U - CAN总线ESD保护二极管
• BUK9675-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET