HEF4794B是8级串行移位寄存器。其具有与每一级都相关的存储锁存器，将数据从串行输入(D)选通到并行LED驱动器输出（QP0至QP7）。数据在时钟(CP)正向跃迁时移位。选通(STR)输入为高电平时，每个移位寄存器级中的数据都会被传输到存储寄存器。只要输出使能输入(OE)信号为高电平，存储寄存器中的数据就会出现在输出处。

两个串行输出（QS1和QS2）可用于级联各种HEF4794B器件。时钟正边沿上的QS1提供串行数据，在具有快速时钟上升时间的级联系统中可实现高速操作。下一个时钟负边沿上的QS2提供同一串行数据。时钟具有缓慢上升时间时，这用于级联HEF4794B器件。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• SL2S2602FUD - ICODE SLIX2
• PBHV9414Z - 140 V、4 A、PNP、高压、低VCEsat (BISS)晶体管
• BUK6507-75C - N沟道TrenchMOS FET
• SC16IS752IBS - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART
• 74ALVC16835ADGG - 18位寄存驱动器（3态）
• BAP65-02 - 硅PIN二极管
• BZB84-C27 - 双倍齐纳二极管
• BZT52H-C3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BZT52H-C47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PBSS301NX - 12 V、5.3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管