HEF4794B是8级串行移位寄存器。其具有与每一级都相关的存储锁存器，将数据从串行输入(D)选通到并行LED驱动器输出（QP0至QP7）。数据在时钟(CP)正向跃迁时移位。选通(STR)输入为高电平时，每个移位寄存器级中的数据都会被传输到存储寄存器。只要输出使能输入(OE)信号为高电平，存储寄存器中的数据就会出现在输出处。

两个串行输出（QS1和QS2）可用于级联各种HEF4794B器件。时钟正边沿上的QS1提供串行数据，在具有快速时钟上升时间的级联系统中可实现高速操作。下一个时钟负边沿上的QS2提供同一串行数据。时钟具有缓慢上升时间时，这用于级联HEF4794B器件。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• PBSS3515VS - 15 V低VCEsat PNP双晶体管
• BUK7Y98-80E - N沟道80 V，98 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BLA6G1011-200R - 功率LDMOS晶体管
• BUK7215-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AUP1G14GS - 低功耗施密特触发反相器
• PZT4401 - NPN开关晶体管
• PTVS10VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PSMN1R3-30YL - N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• 74LVC240APW - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；反相；3态
• 74LVC1G3157GW - 2通道模拟多路复用器/解复用器