HEF4794B是8级串行移位寄存器。其具有与每一级都相关的存储锁存器，将数据从串行输入(D)选通到并行LED驱动器输出（QP0至QP7）。数据在时钟(CP)正向跃迁时移位。选通(STR)输入为高电平时，每个移位寄存器级中的数据都会被传输到存储寄存器。只要输出使能输入(OE)信号为高电平，存储寄存器中的数据就会出现在输出处。

两个串行输出（QS1和QS2）可用于级联各种HEF4794B器件。时钟正边沿上的QS1提供串行数据，在具有快速时钟上升时间的级联系统中可实现高速操作。下一个时钟负边沿上的QS2提供同一串行数据。时钟具有缓慢上升时间时，这用于级联HEF4794B器件。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• BFU520X - NPN宽带硅RF晶体管
• NVT2006PW - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• BZX84-A6V8 - 稳压器二极管
• TDA8594SD - I2C总线控制型4 x 50 W功率放大器
• BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管
• PLVA665A - 低压雪崩稳压器二极管
• NX3L2G384GM - 双低电阻单刀单掷模拟开关
• 74HC161PW - 可预置同步4位二进制计数器；异步复位
• 74AUP1G11GF - 低功耗3输入与门
• PDTC143/114/124/144EQA series - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors